FDS2582 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDS2582
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 150 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.066 Ohm
Тип корпуса: SO-8
FDS2582 Datasheet (PDF)
fds2582.pdf
September 2002FDS2582N-Channel PowerTrench MOSFET150V, 4.1A, 66mFeatures Applications rDS(ON) = 57m (Typ.), VGS = 10V, ID = 4.1A DC/DC converters and Off-Line UPS Qg(tot) = 19nC (Typ.), VGS = 10V Distributed Power Architectures and VRMs Low Miller Charge Primary Switch for 24V and 48V Systems Low QRR Body Diode High Voltage Synchronous Rect
fds2582.pdf
FDS2582www.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO-8
fds2572.pdf
October 2001FDS2572150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFETGeneral Description FeaturesUltraFET devices combine characteristics that enable RDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10V benchmark efficiency in power conversion applications. Qg(TOT) = 29nC (Typ.), VGS = 10VOptimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gatecharge, these devices are ideal f
fds2572.pdf
July 2013FDS2572150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFETGeneral Description FeaturesUltraFET devices combine characteristics that enable RDS(ON) = 0.040 (Typ.), VGS = 10V benchmark efficiency in power conversion applications. Qg(TOT) = 29nC (Typ.), VGS = 10VOptimized for Rds(on), low ESR, low total and Miller gatecharge, these devices are ideal for
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
