WMO96N03T1 - описание и поиск аналогов

 

WMO96N03T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMO96N03T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WMO96N03T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMO96N03T1 даташит

 ..1. Size:635K  way-on
 wmo96n03t1.pdf pdf_icon

WMO96N03T1

WMO96N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO96N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features S G V = 30V, I = 96A DS D TO-252 R

Другие MOSFET... WMO80N03T1 , WMO80N06TS , WMO80N08TS , WMO80P04TS , WMO90N02T1 , WMO90P03TS , WMO90P04TS , WMO95P06TS , IRF9540 , WMO9N65D1 , WMP119N10LG2 , WMQ020N03LG4 , WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.