WMQ080N03LG2 - описание и поиск аналогов

 

WMQ080N03LG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ080N03LG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ080N03LG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ080N03LG2 даташит

 ..1. Size:618K  way-on
 wmq080n03lg2.pdf pdf_icon

WMQ080N03LG2

WMQ080N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ080N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench S G S MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the S S S G S on-state resistance and yet maintain superior switching performance. PDFN3030-8L This device is well suited for high efficiency fast switching appl

Другие MOSFET... WMQ023N03LG2 , WMQ032N04LG2 , WMQ040N03LG2 , WMQ048NV6HG4 , WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , SPP20N60C3 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.