Справочник MOSFET. WMQ080N03LG2

 

WMQ080N03LG2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ080N03LG2
   Маркировка: 080N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ080N03LG2

 

 

WMQ080N03LG2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  way-on
 wmq080n03lg2.pdf

WMQ080N03LG2 WMQ080N03LG2

WMQ080N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDDDDD DWMQ080N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench SGSMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the SSSGSon-state resistance and yet maintain superior switching performance. PDFN3030-8LThis device is well suited for high efficiency fast switching appl

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top