WMQ099N10LG2 - описание и поиск аналогов

 

WMQ099N10LG2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ099N10LG2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ099N10LG2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ099N10LG2 даташит

 ..1. Size:491K  way-on
wmq099n10lg2.pdfpdf_icon

WMQ099N10LG2

WMQ099N10LG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ099N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state S G S S resistance and yet maintain superior switching performance. This S S G S device is well suited for high efficiency fast switching applications P

 9.1. Size:686K  way-on
wmq090n04lg2.pdfpdf_icon

WMQ099N10LG2

WMQ090N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ090N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G S technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PD

 9.2. Size:624K  way-on
wmq090nv6lg4.pdfpdf_icon

WMQ099N10LG2

WMQ090NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D WMQ090NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the S G S S S S on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G S This device is well suited for high efficiency fast switching applications.

 9.3. Size:985K  way-on
wmq098n03lg2.pdfpdf_icon

WMQ099N10LG2

WMQ098N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D D D D D WMQ098N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET S G technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S S S G S resistance and yet maintain superior switching performance. This PDFN3030-8L device is well suited for high efficiency fast switching app

Другие MOSFET... WMQ048NV6LG4 , WMQ050N03LG4 , WMQ050N04LG2 , WMQ060N08LG2 , WMQ080N03LG2 , WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , AON7410 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.