WMQ140NV6LG4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMQ140NV6LG4
Маркировка: 140NV6L4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
Аналог (замена) для WMQ140NV6LG4
WMQ140NV6LG4 Datasheet (PDF)
wmq140nv6lg4.pdf
WMQ140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMQ140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench GMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the sssssGson-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN3
wmq140dnv6lg4.pdf
WMQ140DNV6LG4 65V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2D1D2D1D1D2D1D2WMQ140DNV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1G2G1S2G1 S2G2S1This device is well suited for high efficiency fast swi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100