Справочник MOSFET. WMQ140NV6LG4

 

WMQ140NV6LG4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ140NV6LG4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ140NV6LG4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ140NV6LG4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:982K  way-on
 wmq140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMQ140NV6LG4

WMQ140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMQ140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench GMOSFET technology that has been especially tailored to minimize the sssssGson-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN3

 8.1. Size:1038K  way-on
 wmq140dnv6lg4.pdf pdf_icon

WMQ140NV6LG4

WMQ140DNV6LG4 65V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2D1D2D1D1D2D1D2WMQ140DNV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1G2G1S2G1 S2G2S1This device is well suited for high efficiency fast swi

Другие MOSFET... WMQ090N04LG2 , WMQ090NV6LG4 , WMQ098N03LG2 , WMQ099N10LG2 , WMQ10N10TS , WMQ119N10LG2 , WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , IRLZ44N , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , WMQ20N06TS , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 .

History: SFP040N100C3 | WPM1480 | SSP50R140SFD | SMMBFJ310LT3G | TMC7N60H | WMM90R1K5S

 

 
Back to Top

 


 
.