Справочник MOSFET. WMQ20N06TS

 

WMQ20N06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ20N06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ20N06TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ20N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1003K  way-on
 wmq20n06ts.pdf pdf_icon

WMQ20N06TS

WMQ20N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMQ20N06TS uses advanced power trench technology that DDDDDDhas been especially tailored to minimize the on-state resistance D Dand yet maintain superior switching performance. SGSSSFeatures SGS V = 60V, I = 20A DS DPDFN3030-8LR

 9.1. Size:610K  way-on
 wmq20dn06ts.pdf pdf_icon

WMQ20N06TS

WMQ20DN06TS 60V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D2D1Description D2D1D1D2D1D2WMQ20DN06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance S1G2G1S2S2G1and yet maintain superior switching performance. G2S1Features PDFN3030-8L V = 60V, I = 20A DS DR

Другие MOSFET... WMQ12P10TS , WMQ140DNV6LG4 , WMQ140NV6LG4 , WMQ15DN04TS , WMQ175N10HG4 , WMQ175N10LG4 , WMQ18P04TS , WMQ20DN06TS , IRF1407 , WMQ25P03T1 , WMQ25P04T1 , WMQ25P06TS , WMQ26P02TS , WMQ28N03T1 , WMQ30DN04TS , WMQ30DP03TS , WMQ30N02T1 .

History: SISS23DN | NCEP095N10AG | IRF7326D2PBF | RCJ100N25 | VTI640F | IRFZ44ELPBF | NP60N055KUG

 

 
Back to Top

 


 
.