Справочник MOSFET. WMQ30N06TS

 

WMQ30N06TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ30N06TS
   Маркировка: Q30N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ30N06TS

 

 

WMQ30N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  way-on
 wmq30n06ts.pdf

WMQ30N06TS WMQ30N06TS

WMQ30N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ30N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SGSSSSmaintain superior switching performance. GSPDFN3030-8LFeatures V = 60V, I = 30A DS D R

 7.1. Size:640K  way-on
 wmq30n03t2.pdf

WMQ30N06TS WMQ30N06TS

WMQ30N03T2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ30N03T2 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30V, I = 30A DS DR

 7.2. Size:594K  way-on
 wmq30n02t1.pdf

WMQ30N06TS WMQ30N06TS

WMQ30N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ30N02T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 20V, I =75A DS DR

 7.3. Size:658K  way-on
 wmq30n04ts.pdf

WMQ30N06TS WMQ30N06TS

WMQ30N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDDDD DWMQ30N04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SGSSSSGmaintain superior switching performance. SPDFN3030-8LFeatures V = 40V, I = 30A DS D R

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top