Справочник MOSFET. WMQ40DN03T1

 

WMQ40DN03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ40DN03T1
   Маркировка: Q40DN03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ40DN03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ40DN03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  way-on
 wmq40dn03t1.pdf pdf_icon

WMQ40DN03T1

WMQ40DN03T1 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD2D1D2D1D1D2WMQ40DN03T1 uses advanced power trench technology that D1D2has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1G2G1S2S2G1Features G2S1 V = 30V, I = 40A DS DPDFN3030-8LR

 9.1. Size:979K  way-on
 wmq40n03t1.pdf pdf_icon

WMQ40DN03T1

WMQ40N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ40N03T1 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet SGSmaintain superior switching performance. SSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30V, I = 40A DS DR

Другие MOSFET... WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , WMQ37N03T1 , IRFB31N20D , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS .

History: KI7540DP

 

 
Back to Top

 


 
.