WMQ40DN03T1 - описание и поиск аналогов

 

WMQ40DN03T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMQ40DN03T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: PDFN3030-8L

Аналог (замена) для WMQ40DN03T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ40DN03T1 даташит

 ..1. Size:467K  way-on
 wmq40dn03t1.pdf pdf_icon

WMQ40DN03T1

WMQ40DN03T1 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D2 D1 D2 D1 D1 D2 WMQ40DN03T1 uses advanced power trench technology that D1 D2 has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 G2 G1 S2 S2 G1 Features G2 S1 V = 30V, I = 40A DS D PDFN3030-8L R

 9.1. Size:979K  way-on
 wmq40n03t1.pdf pdf_icon

WMQ40DN03T1

WMQ40N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ40N03T1 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet S G S maintain superior switching performance. S S S G S Features PDFN3030-8L V = 30V, I = 40A DS D R

Другие MOSFET... WMQ30N02T1 , WMQ30N03T2 , WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , WMQ37N03T1 , IRF2807 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS .

History: KIA10N80H-3P | ET8205A | SCG3019

 

 

 

 

↑ Back to Top
.