Справочник MOSFET. WMQ42P03T1

 

WMQ42P03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ42P03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ42P03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ42P03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  way-on
 wmq42p03t1.pdf pdf_icon

WMQ42P03T1

WMQ42P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDDWMQ42P03T1 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -30V, I = -42A DS DR

Другие MOSFET... WMQ30N04TS , WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , AON6380 , WMQ46N03T1 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 .

History: RDN120N25 | STB190NF04T4 | MTM6N90 | R6004ENJ | HSBA3058 | IRFS240 | IRF3710SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.