Справочник MOSFET. WMQ46N03T1

 

WMQ46N03T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WMQ46N03T1
   Маркировка: Q46N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L

 Аналог (замена) для WMQ46N03T1

 

 

WMQ46N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  way-on
 wmq46n03t1.pdf

WMQ46N03T1 WMQ46N03T1

WMQ46N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ46N03T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30V, I = 46A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WMR12P02T1 | IXTQ50N20P

 

 
Back to Top