Справочник MOSFET. WMQ46N03T1

 

WMQ46N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ46N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
 

 Аналог (замена) для WMQ46N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ46N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  way-on
 wmq46n03t1.pdf pdf_icon

WMQ46N03T1

WMQ46N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ46N03T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30V, I = 46A DS DR

Другие MOSFET... WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , IRF830 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS .

History: SST65R280S2E | WMN10N60C4 | STB20N65M5 | WMO50P04T1 | 2SJ583LS | WMK18N70EM | NP55N055SUG

 

 
Back to Top

 


 
.