WMQ46N03T1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WMQ46N03T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: PDFN3030-8L
Аналог (замена) для WMQ46N03T1
WMQ46N03T1 Datasheet (PDF)
wmq46n03t1.pdf

WMQ46N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ46N03T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 30V, I = 46A DS DR
Другие MOSFET... WMQ30N06TS , WMQ30P03T1 , WMQ30P04T1 , WMQ35P02TS , WMQ37N03T1 , WMQ40DN03T1 , WMQ40N03T1 , WMQ42P03T1 , 7N60 , WMQ50N04T1 , WMQ50P03T1 , WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS .
History: 2SK413 | WMLL020N08HGS | WMK80R1K5S | WML53N65C4 | WPMD2012 | NTJS3157NT2 | 2N80L-TF2-T
History: 2SK413 | WMLL020N08HGS | WMK80R1K5S | WML53N65C4 | WPMD2012 | NTJS3157NT2 | 2N80L-TF2-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet