Справочник MOSFET. WMQ55N04T1

 

WMQ55N04T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMQ55N04T1
   Маркировка: Q55N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3030-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMQ55N04T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  way-on
 wmq55n04t1.pdf pdf_icon

WMQ55N04T1

WMQ55N04T1 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55N04T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = 40V, I = 55A DS DR

 9.1. Size:624K  way-on
 wmq55p02t1.pdf pdf_icon

WMQ55N04T1

WMQ55P02T1 20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMQ55P02T1 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. SGSSSSGSFeatures PDFN3030-8L V = -20V, I = -55A DS DR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HSH3024 | WMS05P10TS

 

 
Back to Top

 


 
.