WMR07N06TS - описание и поиск аналогов

 

WMR07N06TS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMR07N06TS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для WMR07N06TS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR07N06TS даташит

 ..1. Size:611K  way-on
 wmr07n06ts.pdf pdf_icon

WMR07N06TS

WMR07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G Description D D S D S D WMR07N06TS uses advanced power trench technology that has S D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = 60V, I = 7A DS D R

 7.1. Size:488K  way-on
 wmr07n03t1.pdf pdf_icon

WMR07N06TS

 9.1. Size:616K  way-on
 wmr07p03ts.pdf pdf_icon

WMR07N06TS

WMR07P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET G D Pin1 D Description S D S D S D D WMR07P03TS uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. G D D Features DFN2020-6L V = -30V, I = -7A DS D R

Другие MOSFET... WMQ55N04T1 , WMQ55P02T1 , WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , IRF830 , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB .

History: 2SK1632 | JMSH2010PTL | DMTH8012LK3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.