WMR09N02T1 - описание и поиск аналогов

 

WMR09N02T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WMR09N02T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для WMR09N02T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR09N02T1 даташит

 ..1. Size:637K  way-on
 wmr09n02t1.pdf pdf_icon

WMR09N02T1

WMR09N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMR09N02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFN2020-6L Features V =20V, I = 9A DS D R

Другие MOSFET... WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , IRF9640 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS .

History: BSZ15DC02KD | JMSH1008PK | DMP4047SK3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.