Справочник MOSFET. WMR09N02T1

 

WMR09N02T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMR09N02T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
 

 Аналог (замена) для WMR09N02T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR09N02T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:637K  way-on
 wmr09n02t1.pdf pdf_icon

WMR09N02T1

WMR09N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMR09N02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFN2020-6LFeatures V =20V, I = 9A DS DR

Другие MOSFET... WMQ60P02TS , WMQ80N03T1 , WMR050N03LG4 , WMR05N10TS , WMR05P04TS , WMR07N03T1 , WMR07N06TS , WMR07P03TS , AON7403 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , WMR14N03TB , WMR15N02T1 , WMR15N03TS .

History: APT6030SVFR

 

 
Back to Top

 


 
.