Справочник MOSFET. WMR13N03T1

 

WMR13N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMR13N03T1
   Маркировка: R13N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR13N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  way-on
wmr13n03t1.pdfpdf_icon

WMR13N03T1

WMR13N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMR13N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFN2020-6LFeatures V =30V, I = 12.5A DS DR

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TSM4415CS | RU1H300Q | STP3NK80Z | NVMFS6B14NL | STP35NF10 | NCE60H30T | 14N50L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.