Справочник MOSFET. WMR14N03TB

 

WMR14N03TB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMR14N03TB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: DFN2020-6L
 

 Аналог (замена) для WMR14N03TB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMR14N03TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  way-on
 wmr14n03tb.pdf pdf_icon

WMR14N03TB

WMR14N03TB 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDescriptionDDSDSDWMR14N03TB uses advanced power trench technology that has SDDDbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. GDDFeatures DFN2020-6L V =30V, I = 13.8A DS DR

 9.1. Size:992K  way-on
 wmr140nv6lg4.pdf pdf_icon

WMR14N03TB

WMR140NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GDPin1DDescription SDSDSDDDWMR140NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state GDresistance and yet maintain superior switching performance. This DDFN2020-6Ldevice is well suited for high efficiency fast switching appl

Другие MOSFET... WMR07N06TS , WMR07P03TS , WMR09N02T1 , WMR10N03T1 , WMR12N03T1 , WMR12P02T1 , WMR13N03T1 , WMR140NV6LG4 , 2N7002 , WMR15N02T1 , WMR15N03TS , WMS02P15TS , WMS032N04LG2 , WMS048NV6HG4 , WMS048NV6LG4 , WMS04N10T1 , WMS04N10TS .

 

 
Back to Top

 


 
.