Справочник MOSFET. WMS04N10T1

 

WMS04N10T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMS04N10T1
   Маркировка: S04N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS04N10T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:982K  way-on
 wms04n10t1.pdf pdf_icon

WMS04N10T1

WMS04N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionDDDWMS04N10T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSFeatures GSOP-8L V = 100V, I = 4A DS DR

 5.1. Size:750K  way-on
 wms04n10ts.pdf pdf_icon

WMS04N10T1

WMS04N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDWMS04N10TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSGFeatures SOP-8L V = 100V, I = 3.5A DS DR

 9.1. Size:789K  way-on
 wms048nv6lg4.pdf pdf_icon

WMS04N10T1

WMS048NV6LG4 65V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDDescriptionDDWMS048NV6LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET Stechnology that has been especially tailored to minimize the on-state SSresistance and yet maintain superior switching performance. This GSOP-8Ldevice is well suited for high efficiency fast switching applications. Features

 9.2. Size:963K  way-on
 wms04p10ts.pdf pdf_icon

WMS04N10T1

WMS04P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS04P10TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = -100V, I = -3.5A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: HSH3024 | WMS05P10TS

 

 
Back to Top

 


 
.