WMS06P04T1 - описание и поиск аналогов

 

WMS06P04T1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WMS06P04T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для WMS06P04T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS06P04T1 технические параметры

 ..1. Size:783K  way-on
 wms06p04t1.pdf pdf_icon

WMS06P04T1

WMS06P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS06P04T1 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. S S Features S G V = -40V, I = -6A DS D SOP-8L R

 9.1. Size:769K  way-on
 wms06n15t2.pdf pdf_icon

WMS06P04T1

WMS06N15T2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description D D WMS06N15T2 uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and S yet maintain superior switching performance. S S G Features SOP-8L V = 150V, I = 5.8A DS D R

 9.2. Size:765K  way-on
 wms06n10ts.pdf pdf_icon

WMS06P04T1

WMS06N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D WMS06N10TS uses advanced power trench technology that has D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S S S Features G SOP-8L V = 100V, I = 5.8A DS D R

Другие MOSFET... WMS04N10T1 , WMS04N10TS , WMS04P10TS , WMS05P04TS , WMS05P06T1 , WMS05P10TS , WMS06N10TS , WMS06N15T2 , IRFP460 , WMS08DH04T1 , WMS08DN06TS , WMS08DP03TS , WMS08N06TS , WMS08P03T1 , WMS08P04TS , WMS090DNV6LG4 , WMS090N04LG2 .

 

 
Back to Top

 


 
.