WMS10DN04TS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WMS10DN04TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
Тип корпуса: SOP-8L
Аналог (замена) для WMS10DN04TS
WMS10DN04TS Datasheet (PDF)
wms10dn04ts.pdf
WMS10DN04TS 40V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1DescriptionD1D2D2WMS10DN04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet S1G1maintain superior switching performance. S2G2Features SOP-8L V = 40V, I =10A DS DR
wms10dh04ts.pdf
WMS10DH04TS 40V N+P Dual Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD1D1D2WMS10DH04TS uses advanced power trench technology that has been D2especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain S1G1superior switching performance.S2G2Features SOP-8L N - Channel V = 40V, I = 10A DS DR
wms10n04ts.pdf
WMS10N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DDDWMS10N04TS uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSGFeatures SOP-8L V = 40V, I =10A DS DR
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918