Справочник MOSFET. WMS13N03T1

 

WMS13N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMS13N03T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8L
 

 Аналог (замена) для WMS13N03T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMS13N03T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:565K  way-on
 wms13n03t1.pdf pdf_icon

WMS13N03T1

WMS13N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 13A DS DR

 9.1. Size:759K  way-on
 wms13p04t1.pdf pdf_icon

WMS13N03T1

WMS13P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13P04T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSFeatures GSOP-8L V = - 40V, I = - 13A DS DR

Другие MOSFET... WMS09P06TS , WMS10DH04TS , WMS10DN04TS , WMS10N04TS , WMS119N10LG2 , WMS11P02TS , WMS11P04T1 , WMS12P03T1 , IRFP260 , WMS13P04T1 , WMS140DNV6LG4 , WMS140NV6LG4 , WMS14DN03T1 , WMS14P03T1 , WMS15N03T1 , WMS15P02T1 , WMS175DN10LG4 .

History: STH110N10F7-2 | FQA17N40 | NCE40H20A | 2SK1183 | WSD2012DN25

 

 
Back to Top

 


 
.