WMS13N03T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WMS13N03T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: SOP-8L
Аналог (замена) для WMS13N03T1
WMS13N03T1 Datasheet (PDF)
wms13n03t1.pdf

WMS13N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13N03T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Syet maintain superior switching performance. SSGFeatures SOP-8L V = 30V, I = 13A DS DR
wms13p04t1.pdf

WMS13P04T1 40V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescriptionDDWMS13P04T1 uses advanced power trench technology that has Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S SSFeatures GSOP-8L V = - 40V, I = - 13A DS DR
Другие MOSFET... WMS09P06TS , WMS10DH04TS , WMS10DN04TS , WMS10N04TS , WMS119N10LG2 , WMS11P02TS , WMS11P04T1 , WMS12P03T1 , IRFP260 , WMS13P04T1 , WMS140DNV6LG4 , WMS140NV6LG4 , WMS14DN03T1 , WMS14P03T1 , WMS15N03T1 , WMS15P02T1 , WMS175DN10LG4 .
History: IRLL2703PBF | 10N60AF | NCE40H20A
History: IRLL2703PBF | 10N60AF | NCE40H20A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement