Справочник MOSFET. WMT07N06TS

 

WMT07N06TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WMT07N06TS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для WMT07N06TS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WMT07N06TS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  way-on
 wmt07n06ts.pdf pdf_icon

WMT07N06TS

WMT07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 60V, I = 7A DS D R

 7.1. Size:469K  way-on
 wmt07n03t1.pdf pdf_icon

WMT07N06TS

WMT07N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 30V, I = 7A DS DR

 8.1. Size:994K  way-on
 wmt07n10ts.pdf pdf_icon

WMT07N06TS

WMT07N10TS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWMT07N10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features V = 100V, I = 6.8A DS DR

Другие MOSFET... WMS240N10LG2 , WMS690N15HG2 , WMT04N10TS , WMT04P06TS , WMT04P10TS , WMT05N10T1 , WMT05N12TS , WMT07N03T1 , AO4407 , WMT07N10TS , WMU080N10HG2 , IRF9317TR , SL002P02K , SL05N06A , SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B .

 

 
Back to Top

 


 
.