Справочник MOSFET. SL12N100F

 

SL12N100F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL12N100F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 116 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SL12N100F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL12N100F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4585K  slkor
 sl12n100t sl12n100k sl12n100 sl12n100f.pdf pdf_icon

SL12N100F

SL12N100Features Low gate charge Low C (typ 13pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast based on half bridge LED power suppliesAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS12 AI T

 7.1. Size:730K  slkor
 sl12n10.pdf pdf_icon

SL12N100F

SL12N10 100V/12A N-Channel MOSFETFeatures Super high density cell design Product Summaryfor extremely low RDS(ON) VDS RDS(ON) MAX ID MAX Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 160m@10VD2S1100V 12AD1180m@4.5VApplication Power Management in Note book DC/DC Converter D Load Switch LCD Display inverter DDGS

Другие MOSFET... SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , SL10P04S , SL120N03R , SL12N10 , SL12N100 , IRFZ46N , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 , SL18N50F , SL2016 .

History: RJK0214DPA | 2N7640-GA | SML5022BN | DMG8822UTS | IPAN60R650CE

 

 
Back to Top

 


 
.