SL2318 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL2318
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.8 nC
Время нарастания (tr): 11.6 ns
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038 Ohm
Тип корпуса: SOT23
SL2318 Datasheet (PDF)
sl2318.pdf
SL231840V/4.1A N Channel Advanced Power MOSFETFeatures V(BR)DSS RDS(ON) Typ ID Max Low RDS(on) @VGS=10V 4.5V Logic Level Control 29m @ 10V N Channel SOT23 Package 40V 4.1A36m @ 4.5V Pb-Free, RoHS Compliant Applications Load Switch DC/DC Converter Switching CircuitsPower ManagementOrder Information SOT23 Marking Product Package Pack
sl2314.pdf
SL231420V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION FEATURE The SL2314 is the N-Channel logic enhancement 20V/4.5A, RDS(ON)=25m (typ.)@VGS=4.5V mmode power field effect transistor is produced using 20V/2.5A, RDS(ON)=55 (typ.)@VGS=2.5V high cell density advanced trench technology.. 20V/2.0A, RDS(ON)=80m (typ.)@VGS=1.8V This high density process is
sl2319a.pdf
SL2319AP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorProduct Summary V -40VDS I -4.4AD R ( at V =-10V) 90mohmDS(ON) GS R ( at V =-4.5V)DS(ON) GS 150mohmGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low RDS(ON) High Speed switching Absolute Maximum Ratings (T =25unless otherwise noted)AP
sl2312.pdf
SL2312SOT-23 Package Information Dimensions in Millimeters Symbol MIN. MAX.A 0.900 1.150A1 0.000 0.100A2 0.900 1.050b 0.300 0.500c 0.080 0.150D 2.800 3.000E 1.200 1.400E1 2.250 2.550e 0.950TYPe1 1.800 2.000L 0.550REFL1 0.300 0.500 0 8www.slkormicro.com3
sl2310.pdf
SL2310N-Channel Power MOSFET DGeneral Features G VDS =60V,ID =3A RDS(ON)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
