Справочник MOSFET. SL50N06I

 

SL50N06I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL50N06I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SL50N06I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL50N06I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:955K  slkor
 sl50n06d sl50n06i.pdf pdf_icon

SL50N06I

SL50N06D/SL50N06I N-Channel 60-V(D-S) Power MOSFETV(BR)DSS RDS(on)MAX ID Equivalent Circuit:60 V 20m@ 10 V50AGeneral Description:2 SL50N06D The high voltage MOSFET uses an advanced termination 3scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition , this advanced MOSFET is designed to withstand high energy in avalanche

 8.1. Size:822K  slkor
 sl50n02d.pdf pdf_icon

SL50N06I

SL50N02D 20V/50A N-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures High density cell design for ultra low Rdson VDS RDS(ON) MAX ID MAX Fully characterized avalanche voltage and 10m@4.5VD220V S1 50AcurrentD113m@2.5V Good stability and uniformity with high EASD Excellent package for good heat dissipationApplication Load switching Hard switched and high

Другие MOSFET... SL4822A , SL4N150B , SL4N150F , SL4N150K , SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , IRFB4110 , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , SL5N100F , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B .

History: SI7483ADP | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | GP2M013A050F | CS10N65FA9HD | CS7N60A8HD | AUIRFZ24NL

 

 
Back to Top

 


 
.