SL5N100P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SL5N100P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.67 nC
trⓘ - Время нарастания: 18.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
Тип корпуса: TO3PH
SL5N100P Datasheet (PDF)
..1. Size:3689K slkor
sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf
sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf
SL5N100N-channel 1000V3-5 5AGeneral featuresType VDSS(@Tjmax) IDRDS(on)SL5N100P 1000 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .