SL8N100 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SL8N100. Основные параметры


   Наименование производителя: SL8N100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SL8N100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL8N100 даташит

 ..1. Size:4070K  slkor
 sl8n100 sl8n100h sl8n100k sl8n100f sl8n100t.pdf pdf_icon

SL8N100

SL8N100 Series Features Low gate charge Low C (typ 9pF) rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product Applications High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS Absolute Ratings (Tc=25 ) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V 1000 V DSS 8 A I T=25 D Drain Current-continu

Другие MOSFET... SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , SL6800C , SL80N03 , SL8820 , IRF9540N , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A .

History: CTM09N20 | SI6423DQ-T1 | AO4828 | AGM1010A-E | DHISJ13N65 | AGM056N10A | AGM1075D

 

 
Back to Top

 


 
.