Справочник MOSFET. SL8N100T

 

SL8N100T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SL8N100T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SL8N100T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SL8N100T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4070K  slkor
 sl8n100 sl8n100h sl8n100k sl8n100f sl8n100t.pdf pdf_icon

SL8N100T

SL8N100 SeriesFeatures Low gate charge Low C (typ 9pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPSAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS8 AI T=25DDrain Current-continu

Другие MOSFET... SL6244 , SL6800C , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SPP20N60C3 , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , SL9926A , SL9945 , SL9968 , SL9N150T .

History: NTMFS5C450NLT3G | VB9220 | HRLD80N06K | IPI60R385CP | BL10N80-W | STB8444 | SNA3100L10NN

 

 
Back to Top

 


 
.