SL8N100T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL8N100T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SL8N100T
SL8N100T Datasheet (PDF)
sl8n100 sl8n100h sl8n100k sl8n100f sl8n100t.pdf

SL8N100 SeriesFeatures Low gate charge Low C (typ 9pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPSAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS8 AI T=25DDrain Current-continu
Другие MOSFET... SL6244 , SL6800C , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SPP20N60C3 , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , SL9926A , SL9945 , SL9968 , SL9N150T .
History: NTMFS5C450NLT3G | VB9220 | HRLD80N06K | IPI60R385CP | BL10N80-W | STB8444 | SNA3100L10NN
History: NTMFS5C450NLT3G | VB9220 | HRLD80N06K | IPI60R385CP | BL10N80-W | STB8444 | SNA3100L10NN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p