SL90N03R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SL90N03R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для SL90N03R
SL90N03R Datasheet (PDF)
sl90n03r.pdf

SL90N03RDescription This Power MOSFET is produced using advanced TRENCH technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Features PDFN5*6-8L V =30VI =90A DS D R = 4.2m @V =10V DS ON TYP GS R =
sl90n20p.pdf

SL90N20P220V N-Channel MOSFETFEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Absolute Maximum Ratings TC = 25C, unless otherwise noted Value Symbol Unit Parameter TO-247 VDSS 220 V Drain-Source Voltage (VG
Другие MOSFET... SL6800C , SL80N03 , SL8820 , SL8N100 , SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , 8205A , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , SL9926A , SL9945 , SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D .
History: B640 | 5N65G | APT5010JVRU3
History: B640 | 5N65G | APT5010JVRU3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560