SGL100N025 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SGL100N025
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TOLL
Аналог (замена) для SGL100N025
SGL100N025 Datasheet (PDF)
sgl100n025.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor100V Super Gate Power MOSFETSGL100N025Rev. 1.0Jan. 2022www.supersemi.com.cnSGL100N025100V N-Channel MOSFETDescription Features VDS 100VThe SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 200Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Extr
Другие MOSFET... SL9945 , SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , IRLB4132 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , SSA65R190S .
History: SI9945DY | WML80R720S | WMM037N10HGS
History: SI9945DY | WML80R720S | WMM037N10HGS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754