SGL100N025 - описание и поиск аналогов

 

SGL100N025. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGL100N025

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для SGL100N025

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGL100N025 даташит

 ..1. Size:832K  cn super semi
sgl100n025.pdfpdf_icon

SGL100N025

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power MOSFET SGL100N025 Rev. 1.0 Jan. 2022 www.supersemi.com.cn SGL100N025 100V N-Channel MOSFET Description Features VDS 100V The SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 200A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Extr

 9.1. Size:228K  1
sgl10n60rufd.pdfpdf_icon

SGL100N025

Другие MOSFET... SL9945 , SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , CS150N03A8 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , SSA65R190S .

History: KMB050N60P | KMB6D0DN35QA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.