SGP080N055 - описание и поиск аналогов

 

SGP080N055. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGP080N055

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SGP080N055

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGP080N055 даташит

 ..1. Size:918K  cn super semi
 sgb080n055 sgp080n055 sgw080n055.pdf pdf_icon

SGP080N055

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 80V Super Gate Power MOSFET SG*080N055 Rev. 1.1 Jul. 2021 www.supersemi.com.cn SGB080N055/SGP080N055/SGW080N055 80V N-Channel MOSFET Description Features VDS 80V The SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120A that is uniquely optimized to provide the most effic

Другие MOSFET... SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 , NCEP15T14 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , SSA65R190S , SSB20N60S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.