Справочник MOSFET. SGW080N055

 

SGW080N055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SGW080N055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 99 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SGW080N055

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGW080N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:918K  cn super semi
 sgb080n055 sgp080n055 sgw080n055.pdf pdf_icon

SGW080N055

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor80V Super Gate Power MOSFETSG*080N055Rev. 1.1Jul. 2021www.supersemi.com.cnSGB080N055/SGP080N055/SGW080N05580V N-Channel MOSFETDescription Features VDS 80VThe SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120Athat is uniquely optimized to provide the most effic

Другие MOSFET... SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 , SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , IRFZ24N , SGW100N025 , SSA50R060S , SSA65R190S , SSB20N60S , SSB60R075SFD2 , SSB60R099S2E , SSB60R099SFD , SSB60R105SFD2 .

History: RU15P12C | SSP60R105SFD2 | STK0170 | 4N90G-TF3-T | R6004KNJ | SWY12N70D

 

 
Back to Top

 


 
.