Справочник MOSFET. SSB20N60S

 

SSB20N60S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSB20N60S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSB20N60S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSB20N60S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1827K  cn super semi
 ssf20n60s ssp20n60s ssb20n60s.pdf pdf_icon

SSB20N60S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power Transistor SS*20N60S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF20N60S/SSP20N60S/SSB20N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is

Другие MOSFET... SGP080N055 , SGP100N025 , SGP100N042 , SGT080N055 , SGW080N055 , SGW100N025 , SSA50R060S , SSA65R190S , STF13NM60N , SSB60R075SFD2 , SSB60R099S2E , SSB60R099SFD , SSB60R105SFD2 , SSB60R140SFD , SSB65R090S2 , SSB65R190S , SSB65R190S2 .

History: DH012N03I | IRFR4510PBF | JFHM20N60C | NTP13N10 | FCU600N65S3R0 | KMD6D0DN30QA | SI5948DU

 

 
Back to Top

 


 
.