SSN60R099SFD - описание и поиск аналогов

 

SSN60R099SFD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSN60R099SFD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: DFN4L-8X8

Аналог (замена) для SSN60R099SFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSN60R099SFD даташит

 ..1. Size:628K  cn super semi
 ssn60r099sfd.pdf pdf_icon

SSN60R099SFD

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-Recovery SSN60R099SFD Rev. 1.0 Dec. 2023 www.supersemi.com.cn SSN60R099SFD 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- With Fast-Recovery Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ

Другие MOSFET... SSF90R650S2 , SSF90R900S2 , SSI60R190S2E , SSI65R190S2 , SSI65R360S2E , SSL60R099SFD , SSL60R190SFD , SSL65R070S2E , SPP20N60C3 , SSN65R065SFD3 , SSN65R190S2 , SSN65R1K2S2E , SSN65R360S2 , SSP20N60S , SSP50R140SFD , SSP60R070S2E , SSP60R075SFD2 .

History: SUP60N02-4M5P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.