Справочник MOSFET. SSN60R099SFD

 

SSN60R099SFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSN60R099SFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: DFN4L-8X8
 

 Аналог (замена) для SSN60R099SFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSN60R099SFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  cn super semi
 ssn60r099sfd.pdf pdf_icon

SSN60R099SFD

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySSN60R099SFDRev. 1.0Dec. 2023www.supersemi.com.cnSSN60R099SFD600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ

Другие MOSFET... SSF90R650S2 , SSF90R900S2 , SSI60R190S2E , SSI65R190S2 , SSI65R360S2E , SSL60R099SFD , SSL60R190SFD , SSL65R070S2E , AON7410 , SSN65R065SFD3 , SSN65R190S2 , SSN65R1K2S2E , SSN65R360S2 , SSP20N60S , SSP50R140SFD , SSP60R070S2E , SSP60R075SFD2 .

History: IRF7483MTRPBF | WMM10N60C4 | KIA65R420

 

 
Back to Top

 


 
.