SSP20N60S - описание и поиск аналогов

 

SSP20N60S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSP20N60S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SSP20N60S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSP20N60S даташит

 ..1. Size:1827K  cn super semi
 ssf20n60s ssp20n60s ssb20n60s.pdf pdf_icon

SSP20N60S

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power Transistor SS*20N60S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF20N60S/SSP20N60S/SSB20N60S 600V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is

Другие MOSFET... SSL60R099SFD , SSL60R190SFD , SSL65R070S2E , SSN60R099SFD , SSN65R065SFD3 , SSN65R190S2 , SSN65R1K2S2E , SSN65R360S2 , 12N60 , SSP50R140SFD , SSP60R070S2E , SSP60R075SFD2 , SSP60R099S2E , SSBG120R080C , SSW120R040C , SSW120R080C , SSZ120R040C .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.