SSZ120R040C - описание и поиск аналогов

 

SSZ120R040C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSZ120R040C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 22 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для SSZ120R040C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSZ120R040C даташит

 ..1. Size:805K  cn super semi
 ssz120r040c.pdf pdf_icon

SSZ120R040C

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 1200V SiC Power MOSFET SSZ120R040C Rev. 0.3 Nov. 2022 www.supersemi.com.cn SSZ120R040C 1200V N-Channel SiC Power MOSFET Description Features SiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperature is utilizing a revolutionary semiconductor mat

 6.1. Size:985K  cn super semi
 ssz120r080c.pdf pdf_icon

SSZ120R040C

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 1200V SiC Power MOSFET SSZ120R080C Rev. 0.3 Apr. 2023 www.supersemi.com.cn SSZ120R080C 1200V N-Channel SiC Power MOSFET Description Features SiC Power MOSFET is new generation of high voltage MOSFET family that 175 Max. junction temperature is utilizing a revolutionary semiconductor mat

Другие MOSFET... SSP20N60S , SSP50R140SFD , SSP60R070S2E , SSP60R075SFD2 , SSP60R099S2E , SSBG120R080C , SSW120R040C , SSW120R080C , AON7506 , SSZ120R080C , SSP60R099SFD , SSP60R105SFD2 , SSP60R130S2 , SSP60R140SFD , SSP60R190S2E , SSP60R190SFD2 , SSP60R260S2E .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.