FDS4685 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FDS4685
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FDS4685 Datasheet (PDF)
fds4685.pdf

June 2005FDS468540V P-Channel PowerTrench MOSFETFeatures Applications 8.2 A, 40 V RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 V Power managementRDS(ON) = 0.035 @ VGS = 4.5 V Load switch Fast switching speed Battery protection High performance trench technology for extremely low RDS(ON) General Description High power and current handling capabi
fds4685.pdf

FDS468540V P-Channel PowerTrench MOSFETApplicationsFeatures Power management 8.2 A, 40 V RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 V Load switchRDS(ON) = 0.035 @ VGS = 4.5 V Battery protection Fast switching speed High performance trench technology for extremely lowGeneral DescriptionRDS(ON) High power and current handling capability This P-
fds4685-nl.pdf

FDS4685-NLwww.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD
fds4675.pdf

February 2001 FDS4675 40V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P MOSFET is a rugged gate version of -Channel 11 A, 40 V R = 0.013 @ V = 10 V DS(ON) GSFairchild Semiconductors advanced PowerTrench R = 0.017 @ V = 4.5 V DS(ON) GSprocess. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of g
Другие MOSFET... STB458D , STB440S , FDS4559 , STB438S , FDS4559F085 , STB438A , FDS4672A , FDS4675F085 , AO3401 , FDS4897AC , STB434S , FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 .
History: AP2311GN | SIHG47N60S | STW15N80K5 | 9N95 | IPB048N06LG | UPA2753GR | HGI110N08AL
History: AP2311GN | SIHG47N60S | STW15N80K5 | 9N95 | IPB048N06LG | UPA2753GR | HGI110N08AL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bt152 datasheet | 2sa1302 datasheet | mpsa13 transistor equivalent | кт817г характеристики | 2sc1972 | 2n5088 transistor equivalent | 2n5884 | bc640