Справочник MOSFET. FDS4685

 

FDS4685 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDS4685
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 256 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS4685 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  fairchild semi
fds4685.pdfpdf_icon

FDS4685

June 2005FDS468540V P-Channel PowerTrench MOSFETFeatures Applications 8.2 A, 40 V RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 V Power managementRDS(ON) = 0.035 @ VGS = 4.5 V Load switch Fast switching speed Battery protection High performance trench technology for extremely low RDS(ON) General Description High power and current handling capabi

 ..2. Size:594K  onsemi
fds4685.pdfpdf_icon

FDS4685

FDS468540V P-Channel PowerTrench MOSFETApplicationsFeatures Power management 8.2 A, 40 V RDS(ON) = 0.027 @ VGS = 10 V Load switchRDS(ON) = 0.035 @ VGS = 4.5 V Battery protection Fast switching speed High performance trench technology for extremely lowGeneral DescriptionRDS(ON) High power and current handling capability This P-

 0.1. Size:840K  cn vbsemi
fds4685-nl.pdfpdf_icon

FDS4685

FDS4685-NLwww.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD

 9.1. Size:73K  fairchild semi
fds4675.pdfpdf_icon

FDS4685

February 2001 FDS4675 40V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P MOSFET is a rugged gate version of -Channel 11 A, 40 V R = 0.013 @ V = 10 V DS(ON) GSFairchild Semiconductors advanced PowerTrench R = 0.017 @ V = 4.5 V DS(ON) GSprocess. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of g

Другие MOSFET... STB458D , STB440S , FDS4559 , STB438S , FDS4559F085 , STB438A , FDS4672A , FDS4675F085 , AO3401 , FDS4897AC , STB434S , FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , FDS5351 , FDS5670 .

History: AP2311GN | SIHG47N60S | STW15N80K5 | 9N95 | IPB048N06LG | UPA2753GR | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.