FDS4935BZ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: FDS4935BZ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для FDS4935BZ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDS4935BZ даташит
fds4935bz.pdf
September 2006 tm FDS4935BZ Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET has been designed 6.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery
fds4935bz.pdf
September 2006 tm FDS4935BZ Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET has been designed 6.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m @ VGS = 10 V specifically to improve the overall efficiency of DC/DC RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers, and battery
fds4935bz-nl-38.pdf
FDS4935BZ-NL&-38 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5
fds4935a.pdf
March 2002 FDS4935A Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 7 A, 30 V RDS(ON) = 23 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench RDS(ON) = 35 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide ran
Другие IGBT... FDS4672A, FDS4675F085, FDS4685, FDS4897AC, STB434S, FDS4897C, STB432S, FDS4935A, AO4468, FDS5351, FDS5670, FDS5672, FDS6294, STB416D, FDS6298, STB31L01, FDS6574A
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: HM6409 | HM70N90D | HM70P02D | IXFK64N60P | HM8205Q | SI7380ADP | SSW60R070S2E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626





