FDS5351 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDS5351 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDS5351
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для FDS5351

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS5351 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  fairchild semi
 fds5351.pdf pdf_icon

FDS5351

April 2008FDS5351N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 6.1A, 35mFeatures General Description Max rDS(on) = 35m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 42m at VGS = 4.5V, ID = 5.5Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance and High performance tr

Другие MOSFET... FDS4675F085 , FDS4685 , FDS4897AC , STB434S , FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , P0903BDG , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , STB416D , FDS6298 , STB31L01 , FDS6574A , FDS6670AS .

History: TT8J21 | AP0403GH | H07N65F | H12N60E | 2SK2252-01L | 2N65G-TND-R | JMTL400N04A

 

 
Back to Top

 


 
.