FDS5351 - описание и поиск аналогов

 

FDS5351. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDS5351

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для FDS5351

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDS5351 даташит

 ..1. Size:237K  fairchild semi
 fds5351.pdf pdf_icon

FDS5351

April 2008 FDS5351 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 6.1A, 35m Features General Description Max rDS(on) = 35m at VGS = 10V, ID = 6.1A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 42m at VGS = 4.5V, ID = 5.5A been especially tailored to minimize the on-state resistance and High performance tr

Другие MOSFET... FDS4675F085 , FDS4685 , FDS4897AC , STB434S , FDS4897C , STB432S , FDS4935A , FDS4935BZ , IRF830 , FDS5670 , FDS5672 , FDS6294 , STB416D , FDS6298 , STB31L01 , FDS6574A , FDS6670AS .

History: STB432S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.