SWB030R04VT - описание и поиск аналогов

 

SWB030R04VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWB030R04VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 121 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 773 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SWB030R04VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB030R04VT даташит

 ..1. Size:978K  samwin
 swp030r04vt swb030r04vt.pdf pdf_icon

SWB030R04VT

SW030R04VT N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 BVDSS 40V TO-263 High ruggedness ID 130A Low RDS(ON) (Typ 3.7m )@VGS=4.5V RDS(ON) 3.7m @VGS=4.5V (Typ 2.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 120nC) 2.8m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application Power Supply,LED Boost 1. Gate 2.

 9.1. Size:752K  samwin
 swp036r10e8s swb036r10e8s.pdf pdf_icon

SWB030R04VT

SW036R10E8S N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 100V High ruggedness ID 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC) RDS(ON) 3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Motor Drivers 1 1. Gate 2.

 9.2. Size:725K  samwin
 swp031r06et swb031r06et.pdf pdf_icon

SWB030R04VT

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 60V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m )@VGS=10V RDS(ON) 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

 9.3. Size:646K  samwin
 swb035r08et.pdf pdf_icon

SWB030R04VT

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS 80V High ruggedness ID 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m )@VGS=10V RDS(ON) 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSW90R160S2 , SSW90R160SFD , SSW90R240S2 , SSW90R420S2 , SSZ65R022SFD3 , SSZ65R041SFD2 , SWB015R03VLT , SWB020R03VLT , STF13NM60N , SWB031R06ET , SWB036R10E8S , SWB042R10ES , SWB046R08E8T , SWB046R08E9T , SWB046R68E8T , SWB050R95E8S , SWB051R08ES .

History: AOTF292L | UPA1725G | 2SK2071-01S | HM4421B | SES744 | HM120N04I | IRF7343IPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.