SWB046R08E9T
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWB046R08E9T
Маркировка: SW046R08E9T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 160
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 182
nC
trⓘ -
Время нарастания: 75
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 625
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059
Ohm
Тип корпуса:
TO263
SWB046R08E9T
Datasheet (PDF)
..1. Size:741K samwin
swp046r08e9t swb046r08e9t.pdf 
SW046R08E9TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.5m)@VGS=10V ID : 160A Low Gate Charge (Typ 182nC)RDS(ON) : 4.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application:Synchronous Rectification,1 12 2Li Battery Protect Board, Inverter3 311. Gate 2.Drain 3.
4.1. Size:737K samwin
swp046r08e8t swb046r08e8t.pdf 
SW046R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggednessID : 150A Low RDS(ON) (Typ 4.8m)@VGS=10VRDS(ON) : 4.8m Low Gate Charge (Typ 183nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3
7.1. Size:800K samwin
swp046r68e8t swb046r68e8t.pdf 
SW046R68E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.6m)@VGS=10V ID : 145A Low Gate Charge (Typ 145nC)RDS(ON) : 4.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application:Synchronous Rectification,212 3Li Battery Protect Board, Inverter311. Gate 2.Drain
9.1. Size:729K samwin
swp042r10es swb042r10es.pdf 
SW042R10ES N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS : 100V ID : 120A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.4m)@VGS=10V RDS(ON) : 4.4m Low Gate Charge (Typ 106nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 2 1 2 3 Application: Synchronous Rectification, 3 Li Battery Protect Board, In
Другие MOSFET... FMM50-025TF
, FMM60-02TF
, FMM75-01F
, FMP26-02P
, FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, RFP50N06
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, GMM3x180-004X2-SMD
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
.
