SWB060R68E7T - описание и поиск аналогов

 

SWB060R68E7T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWB060R68E7T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 171 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 313 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SWB060R68E7T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB060R68E7T даташит

 ..1. Size:816K  samwin
 swp060r68e7t swb060r68e7t.pdf pdf_icon

SWB060R68E7T

SW060R68E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 68V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m )@VGS=10V ID 110A Low Gate Charge (Typ 94nC) RDS(ON) 5.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.S

 6.1. Size:813K  samwin
 swp060r65e7t swb060r65e7t.pdf pdf_icon

SWB060R68E7T

SW060R65E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 65V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 5.6m )@VGS=10V ID 110A Low Gate Charge (Typ 94nC) RDS(ON) 5.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.S

 9.1. Size:775K  samwin
 swp068r68e7t swb068r68e7t.pdf pdf_icon

SWB060R68E7T

SW068R68E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 68V High ruggedness ID 90A Low RDS(ON) (Typ 6.8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC) RDS(ON) 6.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.So

 9.2. Size:768K  samwin
 swp065r68e7t swb065r68e7t.pdf pdf_icon

SWB060R68E7T

SW065R68E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 68V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.3m )@VGS=10V ID 100A Low Gate Charge (Typ 75nC) RDS(ON) 6.3m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWB046R68E8T , SWB050R95E8S , SWB051R08ES , SWB055R68E7T , SWB056R68E7T , SWB058R06E7T , SWB058R65E7T , SWB060R65E7T , IRLB3034 , SWB062R08E8T , SWB062R68E7T , SWB065R68E7T , SWB068R08ET , SWB068R68E7T , SWB072R06ET , SWB072R08ET , SWB075R08E7T .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.