Справочник MOSFET. SWB062R08E8T

 

SWB062R08E8T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB062R08E8T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 201.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 424 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0071 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SWB062R08E8T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB062R08E8T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:804K  samwin
 swp062r08e8t swb062r08e8t.pdf pdf_icon

SWB062R08E8T

SW062R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggednessID : 125A Low RDS(ON) (Typ 5.9m)@VGS=10VRDS(ON) : 5.9m Low Gate Charge (Typ 137nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3

 7.1. Size:772K  samwin
 swp062r68e7t swb062r68e7t.pdf pdf_icon

SWB062R08E8T

SW062R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.2m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :6.2m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.S

 7.2. Size:772K  cn super semi
 swp062r68e7t swb062r68e7t.pdf pdf_icon

SWB062R08E8T

SW062R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.2m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :6.2m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.S

 9.1. Size:775K  samwin
 swp068r68e7t swb068r68e7t.pdf pdf_icon

SWB062R08E8T

SW068R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 90A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) :6.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.So

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWB050R95E8S , SWB051R08ES , SWB055R68E7T , SWB056R68E7T , SWB058R06E7T , SWB058R65E7T , SWB060R65E7T , SWB060R68E7T , AON7403 , SWB062R68E7T , SWB065R68E7T , SWB068R08ET , SWB068R68E7T , SWB072R06ET , SWB072R08ET , SWB075R08E7T , SWB076R68E7T .

History: UTT25P10G-TN3-R | KF7N65FM | IXFH30N50Q3 | STY80NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.