Справочник MOSFET. SWB068R68E7T

 

SWB068R68E7T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWB068R68E7T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 74 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 244 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWB068R68E7T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:775K  samwin
 swp068r68e7t swb068r68e7t.pdf pdf_icon

SWB068R68E7T

SW068R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 90A Low RDS(ON) (Typ 6.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC)RDS(ON) :6.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.So

 7.1. Size:853K  samwin
 swp068r08et swb068r08et.pdf pdf_icon

SWB068R68E7T

SW068R08ETN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesBVDSS : 80VTO-220TO-263 High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 7.1m)@VGS=10VRDS(ON) : 7.1m Low Gate Charge (Typ 59nC) Improved dv/dt Capability 21 100% Avalanche Tested1223 Application: Synchronous Rectification, 13Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2. Drain

 9.1. Size:768K  samwin
 swp065r68e7t swb065r68e7t.pdf pdf_icon

SWB068R68E7T

SW065R68E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS : 68V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 6.3m)@VGS=10V ID : 100A Low Gate Charge (Typ 75nC) RDS(ON) : 6.3m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1

 9.2. Size:772K  samwin
 swp062r68e7t swb062r68e7t.pdf pdf_icon

SWB068R68E7T

SW062R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 6.2m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :6.2m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK3613-01 | 2SK4108 | CM20N50P | JCS2N60MB | 2SK2424 | P0908ATF | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.