Справочник MOSFET. SWB088R06VT

 

SWB088R06VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SWB088R06VT
   Маркировка: SW088R06VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для SWB088R06VT

 

 

SWB088R06VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  samwin
 swp088r06vt swb088r06vt.pdf

SWB088R06VT SWB088R06VT

SW088R06VTN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263 BVDSS : 60V High ruggednessID : 100A Low RDS(ON) (Typ 10m)@VGS=4.5V(Typ 8.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 10m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)8.2m@VGS=10V Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested1 12 2 23 3 Application: Electronic Ballast, Motor ControlSync

 6.1. Size:742K  samwin
 swp088r08e8t swb088r08e8t.pdf

SWB088R06VT SWB088R06VT

SW088R08E8TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 9.4m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.4m Low Gate Charge (Typ 89nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.S

 9.1. Size:755K  samwin
 swb085r68e7t swp085r68e7t.pdf

SWB088R06VT SWB088R06VT

SW085R68E7TN-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFETFeaturesTO-263 TO-220BVDSS : 68V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 9.5m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.5m Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 12 2 Application:Synchronous Rectification,3 31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.S

 9.2. Size:831K  samwin
 swp086r68e7t swb086r68e7t.pdf

SWB088R06VT SWB088R06VT

SW086R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 75A Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 64nC)RDS(ON) :9.2m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.So

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top