Справочник MOSFET. SWD088R08E8T

 

SWD088R08E8T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD088R08E8T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 213 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SWD088R08E8T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD088R08E8T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:750K  samwin
 swd088r08e8t.pdf pdf_icon

SWD088R08E8T

SW088R08E8TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 9.7m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.7m Low Gate Charge (Typ 86nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr

 6.1. Size:681K  samwin
 sw088r06vt swk088r06vt swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf pdf_icon

SWD088R08E8T

SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V ID : 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 7 8 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m@VGS=10V 1 100% A

 6.2. Size:1012K  samwin
 swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf pdf_icon

SWD088R08E8T

SW088R06VTN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-251TO-252 DFN5*6BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5VID : 40A1 8Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V2 7RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)6354 Improved dv/dt Capability 9.2m@VGS=10V 100% Avalanche Tested1 122 Applicati

 9.1. Size:782K  samwin
 swd085r68e7t.pdf pdf_icon

SWD088R08E8T

SW085R68E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 70A Low RDS(ON) (Typ 10.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 10.2m Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWD068R08E8T , SWD068R68E7T , SWD070R08E7T , SWD075R06ET , SWD076R68E7T , SWD078R08E8T , SWD085R68E7T , SWD086R68E7T , 12N60 , SWD106R95VS , SWD10N50K , SWD10N65K , SWD10N65K2 , SWD10N80K2 , SWD110R03VT , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 .

History: CS12N06AE-G | TMU4N60H | NCE035N30G

 

 
Back to Top

 


 
.