SWD088R08E8T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SWD088R08E8T
Маркировка: SW088R08E8T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 86 nC
Время нарастания (tr): 59 ns
Выходная емкость (Cd): 213 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0111 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SWD088R08E8T
SWD088R08E8T Datasheet (PDF)
swd088r08e8t.pdf
SW088R08E8TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 80V High ruggednessID : 80A Low RDS(ON) (Typ 9.7m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.7m Low Gate Charge (Typ 86nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr
sw088r06vt swk088r06vt swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf
SW088R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFET Features TO-251 TO-252 DFN5*6 SOP-8 BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5V ID : 40A 5 6 Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V 7 8 RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC) 4 3 Improved dv/dt Capability 2 9.2m@VGS=10V 1 100% A
swi088r06vt swd088r06vt swha088r06vt.pdf
SW088R06VTN-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-251TO-252 DFN5*6BVDSS : 60V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 11m)@VGS=4.5VID : 40A1 8Low RDS(ON) (Typ 9.2m)@VGS=10V2 7RDS(ON) : 11m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 48nC)6354 Improved dv/dt Capability 9.2m@VGS=10V 100% Avalanche Tested1 122 Applicati
swd085r68e7t.pdf
SW085R68E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 70A Low RDS(ON) (Typ 10.2m)@VGS=10VRDS(ON) : 10.2m Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Des
swd086r68e7t.pdf
SW086R68E7TN-channel Enhanced mode TO-252 MOSFETFeaturesTO-252BVDSS : 68V High ruggednessID : 70A Low RDS(ON) (Typ 9.6m)@VGS=10VRDS(ON) : 9.6m Low Gate Charge (Typ 66nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested12 Application:Synchronous Rectification,31Li Battery Protect Board, Inverter1. Gate 2.Drain 3.SourceGeneral Descr
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
