SWD106R95VS - описание и поиск аналогов

 

SWD106R95VS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD106R95VS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 95 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 238 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD106R95VS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD106R95VS даташит

 ..1. Size:760K  samwin
 swd106r95vs.pdf pdf_icon

SWD106R95VS

SW106R95VS N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 95V High ruggedness ID 35A Low RDS(ON) (Typ 12.4m )@VGS=4.5V (Typ 11.6m )@VGS=10V RDS(ON) 12.4m @VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 117nC) 11.6m @VGS=10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 2 Application Synchronous Rectification, 3 Li

 9.1. Size:1355K  samwin
 swf10n50k swp10n50k swt10n50k swn10n50k swd10n50k.pdf pdf_icon

SWD106R95VS

SW10N50K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-247/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-247 TO-251N TO-252 BVDSS 500V ID 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.26 )@VGS=10V RDS(ON) 0.26 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 Application LED, PC Power, Cha

 9.2. Size:820K  samwin
 swf10n80k2 swn10n80k2 swd10n80k2.pdf pdf_icon

SWD106R95VS

SW10N80K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS 800V Features ID 10A High ruggedness RDS(ON) 0.58 Low RDS(ON) (Typ 0.58 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 27nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application LED,Charger,PC Power 1. Gate 2. Drain

 9.3. Size:1328K  samwin
 swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf pdf_icon

SWD106R95VS

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS 650V High ruggedness ID 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36 )@VGS=10V RDS(ON) 0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SWD068R68E7T , SWD070R08E7T , SWD075R06ET , SWD076R68E7T , SWD078R08E8T , SWD085R68E7T , SWD086R68E7T , SWD088R08E8T , 2N7002 , SWD10N50K , SWD10N65K , SWD10N65K2 , SWD10N80K2 , SWD110R03VT , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 , SWD15N65J .

History: 4N65KG-T2Q-T | IPP530N15N3 | RUE002N02 | SWD7N65K2 | HY3410B | HY3410PM | RF4E110BN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.