SWD1N60DC - описание и поиск аналогов

 

SWD1N60DC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWD1N60DC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD1N60DC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD1N60DC даташит

 ..1. Size:911K  samwin
 swd1n60dc swsa1n60dc.pdf pdf_icon

SWD1N60DC

SW1N60DC N-channel Enhanced mode TO-252/SOT223 MOSFET Features TO-252 SOT223 BVDSS 600V ID 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 7 )@VGS=10V RDS(ON) 7 Low Gate Charge (Typ6.3 nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application Charger,Adaptor,LED 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power MOSFET

Другие MOSFET... SWD10N65K2 , SWD10N80K2 , SWD110R03VT , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 , SWD15N65J , SWD160R12VT , SWD19N10 , 13N50 , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , SWD3205B , SWD340R10VT .

History: SWD062R08E8T | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | EMBA5P06J | SWD070R08E7T | JCS3910V

 

 

 

 

↑ Back to Top
.