Справочник MOSFET. SWD1N60DC

 

SWD1N60DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWD1N60DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWD1N60DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:911K  samwin
 swd1n60dc swsa1n60dc.pdf pdf_icon

SWD1N60DC

SW1N60DCN-channel Enhanced mode TO-252/SOT223 MOSFETFeaturesTO-252 SOT223BVDSS : 600VID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 7)@VGS=10VRDS(ON) : 7 Low Gate Charge (Typ6.3 nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1122 Application:Charger,Adaptor,LED 3311. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: TPC6106 | NVMFS5C423NL | FCAB2126 | APM9938K | MSU5N60F | AS2304 | WML18N65EM

 

 
Back to Top

 


 
.