SWD1N60DC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SWD1N60DC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SWD1N60DC
SWD1N60DC Datasheet (PDF)
swd1n60dc swsa1n60dc.pdf

SW1N60DCN-channel Enhanced mode TO-252/SOT223 MOSFETFeaturesTO-252 SOT223BVDSS : 600VID : 1A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 7)@VGS=10VRDS(ON) : 7 Low Gate Charge (Typ6.3 nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1122 Application:Charger,Adaptor,LED 3311. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET
Другие MOSFET... SWD10N65K2 , SWD10N80K2 , SWD110R03VT , SWD13N60K2 , SWD13N65K2 , SWD15N65J , SWD160R12VT , SWD19N10 , AO4407 , SWD200R10VT , SWD20N20D , SWD2N40DC , SWD2N60DC , SWD2N65K , SWD2N70D , SWD3205B , SWD340R10VT .
History: FQA160N08 | SSF60R105SFD2 | AP98T06GS | ZVP4424Z | SM4812PRL | AP2535GEY | AP2428GN3
History: FQA160N08 | SSF60R105SFD2 | AP98T06GS | ZVP4424Z | SM4812PRL | AP2535GEY | AP2428GN3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent