SWF13N80K - описание и поиск аналогов

 

SWF13N80K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF13N80K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF13N80K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF13N80K даташит

 ..1. Size:623K  samwin
swf13n80k.pdfpdf_icon

SWF13N80K

SW13N80K N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F BVDSS 800V Features ID 13A High ruggedness RDS(ON) 0.44 Low RDS(ON) (Typ 0.44 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This powe

 8.1. Size:818K  samwin
swf13n65d.pdfpdf_icon

SWF13N80K

SW13N65D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6 )@VGS=10V ID 13A Low Gate Charge (Typ 54nC) RDS(ON) 0.6 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application LED, Charger, PC Power 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This power MOSFET is produced

 8.2. Size:816K  samwin
swf13n50d swp13n50d.pdfpdf_icon

SWF13N80K

SW13N50D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F BVDSS 500V Features TO-220 ID 13A High ruggedness RDS(ON) 0.46 RDS(ON) (Typ 0.46 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) 2 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application LED,Charger 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description Thi

 8.3. Size:592K  samwin
swf13n70d.pdfpdf_icon

SWF13N80K

SW13N70D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS 700V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.7 )@VGS=10V ID 13A Low Gate Charge (Typ 52nC) RDS(ON) 0.7 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application LED, TV-Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow

Другие MOSFET... SWF11N65D , SWF12N60D , SWF13N50D , SWF13N60D , SWF13N60K2 , SWF13N65D , SWF13N65K2 , SWF13N70D , IRFZ44 , SWF14N50D , SWF15N50 , SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , SWF17N50D .

History: JBE083M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.