Справочник MOSFET. SWF16N60D

 

SWF16N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF16N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 243 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF16N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  samwin
swf16n60d.pdfpdf_icon

SWF16N60D

SW16N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.4)@VGS=10V ID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC) RDS(ON) : 0.4 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow

 6.1. Size:724K  samwin
swf16n60k.pdfpdf_icon

SWF16N60D

SW16N60K N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.21)@VGS=10V RDS(ON) :0.21 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 General Description This power MO

 7.1. Size:820K  samwin
sw16n65d swf16n65d.pdfpdf_icon

SWF16N60D

SW16N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.46)@VGS=10VID : 16A Low Gate Charge (Typ 68nC)RDS(ON) : 0.46 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: Charger, Adaptor, LED2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produce

 7.2. Size:1213K  samwin
sw16n65k swp16n65k swf16n65k swb16n65k.pdfpdf_icon

SWF16N60D

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | BSS214NW | APL602J

 

 
Back to Top

 


 
.