SWF17N80K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SWF17N80K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.39 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SWF17N80K
SWF17N80K Datasheet (PDF)
swf17n80k swp17n80k.pdf

SW17N80K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220 MOSFET TO-220F TO-220 BVDSS : 800V Features ID : 17A High ruggedness RDS(ON) : 0.31 Low RDS(ON) (Typ 0.31)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 57nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 1 3 3 Application: LED , Charger, SMPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descr
swf17n50d.pdf

SW17N50D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 500V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.29)@VGS=10V ID : 17A Low Gate Charge (Typ 70nC) RDS(ON) : 0.29 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, TV-Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p
Другие MOSFET... SWF14N50D , SWF15N50 , SWF15N50DA , SWF16N60D , SWF16N60K , SWF16N70D , SWF16N70K , SWF17N50D , P55NF06 , SWF18N60D , SWF20N50D , SWF20N65D , SWF20N65K , SWF20N70K , SWF2N60DB , SWF2N65D , SWF2N65DB .
History: IRFB4610PBF | AM7363P
History: IRFB4610PBF | AM7363P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent