Справочник MOSFET. SWF3N80D

 

SWF3N80D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SWF3N80D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SWF3N80D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF3N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:655K  samwin
 swf3n80d swn3n80d swd3n80d.pdf pdf_icon

SWF3N80D

SW3N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-252 BVDSS : 800V TO-220F High ruggedness ID : 3A Low RDS(ON) (Typ 3.8)@VGS=10V RDS(ON) : 3.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие MOSFET... SWF20N65D , SWF20N65K , SWF20N70K , SWF2N60DB , SWF2N65D , SWF2N65DB , SWF2N70D , SWF2N90K2 , 2N7000 , SWF4N100U , SWF4N50K , SWF4N60D , SWF4N60DA , SWF4N60K , SWF4N65DA , SWF4N65DD , SWF4N65K .

History: IPI65R190CFD | ME2313 | IRF7701GPBF | NCE4618SP | SIF10N40C | IRFBC20LPBF | UTM4953

 

 
Back to Top

 


 
.