SWF3N80D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SWF3N80D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SWF3N80D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SWF3N80D даташит

 ..1. Size:655K  samwin
 swf3n80d swn3n80d swd3n80d.pdf pdf_icon

SWF3N80D

SW3N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-252 BVDSS 800V TO-220F High ruggedness ID 3A Low RDS(ON) (Typ 3.8 )@VGS=10V RDS(ON) 3.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 Application DC-DC LED PC 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

Другие IGBT... SWF20N65D, SWF20N65K, SWF20N70K, SWF2N60DB, SWF2N65D, SWF2N65DB, SWF2N70D, SWF2N90K2, AON7408, SWF4N100U, SWF4N50K, SWF4N60D, SWF4N60DA, SWF4N60K, SWF4N65DA, SWF4N65DD, SWF4N65K